濺射沉積率是表征成膜速度的參數，其沉積率高低除了與工作氣體的種類(lèi)與壓力、靶材種類(lèi)與“濺射刻蝕區“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個(gè)重要因素的直接影響。

       1、濺射電壓與沉積率

　　在磁控靶前磁場(chǎng)控制區域間的等離子體越強烈和密集，靶材上的原子脫離率就越高。在影響濺射系數的諸因數中，當靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來(lái)說(shuō)，在磁控濺射正常工藝范圍內，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數就越大;也就是說(shuō)入射離子的能量越大，濺射系數也越大。在濺射沉積所需的能量范圍內，其影響是緩和的和漸變的。

        2、濺射電流與沉積率

　　磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作電壓;另一個(gè)是適當提高工作氣體壓力。沉積速率對應有一個(gè)最佳氣壓值，在該氣體壓力下，其相對沉積率最大，這個(gè)現象是磁控濺射的共同規律。在不影響膜層質(zhì)量或滿(mǎn)足用戶(hù)要求的前提下，由濺射產(chǎn)額來(lái)考慮氣體壓力的最佳值是比較合適的。

        3、濺射功率與沉積率

　　一般來(lái)說(shuō)，磁控靶的濺射功率增高時(shí)，薄膜的沉積率速率也會(huì )變大;這里有一個(gè)先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽(yáng)極間電場(chǎng)中獲得的能量，足以大過(guò)靶材的“濺射能量閥值”。有的時(shí)候，磁控靶的濺射電壓很低(例如2百多伏)，濺射電流也比較高，雖然平均濺射功率不低，卻會(huì )出現靶材離子濺射出不來(lái)，不能發(fā)生濺射沉積成膜的情況。記錄磁控靶的濺射電壓和濺射電流數據，不但可以知道磁控靶的“濺射功率”，而且還可以大致了解轟擊靶面離子的能量的高低和正確估計靶材離子的沉積狀況，對分析很多真空鍍膜中的問(wèn)題和現象都會(huì )有幫助。