ICP刻蝕原理及應用

原理：等離子體對材料的刻蝕分為物理刻蝕和化學(xué)劑刻蝕，物理刻蝕是通過(guò)加速離子對基片表面的撞擊來(lái)將基片表面的原子濺射出來(lái)。為離子能量的損耗為代價(jià)達到刻蝕的目的?；瘜W(xué)反應刻蝕是反應等離子體在放電過(guò)程中產(chǎn)生離子和許多化學(xué)活性中性物質(zhì)即自由基。這些中性物質(zhì)是活躍的刻蝕劑，它與基片發(fā)生化學(xué)反應。

工作原理：

ICP系統中有2個(gè)獨立的RF電源，RF1與RF2.一個(gè)接到反應室外的電感線(xiàn)圈，一個(gè)接到反應室內的電極。給反應室外的線(xiàn)圈加功率時(shí)，反應室內產(chǎn)生交變的電磁場(chǎng)，當電場(chǎng)達到一定程度時(shí)，氣體產(chǎn)生放電現象，進(jìn)入等離子狀態(tài)。交變的電磁場(chǎng)，使等離子體中的電子路徑改變增加等離子體的密度。反應室內的電極放電后提供一個(gè)偏置電壓給等離子體提供能量，使等離子體垂直作用于基片。并與基片發(fā)生成可揮發(fā)的氣態(tài)物質(zhì)，以達到刻蝕的目的。

等離子刻蝕主要應用在半導體晶圓制作的微電路與圖案的刻蝕。

K-mate 系列射頻電源及自動(dòng)匹配器為國內多家知名企業(yè)與高校如中科院，沈陽(yáng)科儀等單位保持長(cháng)期射頻電源及自動(dòng)匹配器供應。在ICP，RIE等刻蝕設備上針對上電極線(xiàn)圈負載與下電極容性負載。配上對應的不同阻抗網(wǎng)絡(luò )的射頻自動(dòng)匹配器。能夠迅速調整匹配起輝放電。且能長(cháng)時(shí)間穩定運行。